三星发布UFS内存卡,比microSD快350倍

此前,eMMC闪存标准占据着绝大多数的手机、平板等内嵌式存储器市场,从eMMC 4.3时代发展到最新的eMMC 5.0标准,内嵌式闪传性能有了很大的提高。不过,从去年3月份UFS 2.0闪存标准公布以来,凭借超高速的读写,大有取代eMMC的趋势。最新发布的旗舰机型小米5,一加3和乐视Max2等机型,均采用了UFS 2.0闪存技术。面对这一趋势,三星首先将UFS 2.0标准应用在了内存卡上。
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据最新消息,三星领先业界发布了一系列不同容量版本的UFS内存卡,虽然和microSD卡长得差不多,但无论是连续读写还是随机读写,据三星介绍都和microSD卡不是一个数量级的。此外,由于UFS卡的金手指触点和传统microSD卡完全不同,因此将无法兼容。

三星表示,256GB版本的UFS内存卡连续读取数据的速度可以达到530M/s,连续写入数据的速度可以达到170M/s,分别是EVO+ microSD卡读取速的5倍,写入速度的2-3倍。同样是三星发布的EVO+此前号称是最快的microSD卡,宣传的读取速度是100M/s,写入速度50M/s(但经一些科技媒体实测读取速度只有80M/s,写入速度是20M/s)。
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随机读写方面,三星表示256GB版本的UFS卡将达到40,000 IOPS(每秒输出/输出操作次数)的随机读取速率,这一数字是传统microSD卡的20倍;35,000 IOPS的随机写入速率,是传统卡的350倍(小编再三确认,的确是350倍)。

虽然三星宣称很快,不过,要看到UFS卡在实际应用场景中的具体表现之后才能下结论。据称,三星将很可能在即将发布的Galaxy Note 7上支持UFS标准的内存卡扩展,让我们拭目以待吧。

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